晶圆龙头台积电先进设备制程技术再度向前朝著迈进，寄予厚望慢电池源管理IC市场潜力，协同合作夥伴戴乐格半导体（DialogSemiconductor），将于明年第1季发售首颗氮化镓（GaN）手机慢差使晶片，挑战慢差使晶片龙头德仪（TI）及恩智浦（NXP）霸主地位。　　喧腾已久氮化镓制程，台积电再一宣告迈入氮化镓先进设备制程，为合作客户德商戴乐格量身打造出，使用6寸、0.5微米、650V矽上氮化镓（GaN-On-Silicon）制程技术，生产首颗氮化镓手机慢差使晶片，预计在明年第1季生产量，该晶片不具备体积增大、效能提升、电池时间减为等优势，限于于手机及平板等行动慢差使，将挑战业界霸主德仪、恩智浦龙头地位。　　据报，台积电在氮化镓领域布局已幸，技术也非常成熟期，不过，因客户考量成本及下游应用于问题，对氮化镓制程市场需求不低，还是以传统矽制程居多，因此，台积电也仅有能按兵不动、等候时机。

如今手机慢差使应用于渐渐浮上台面，手机晶片联发科及高通陆续直言慢差使规格，展讯及海思也发售慢差使规格因应，而三星也发售提供支援Galaxy全系列智慧型手机的快差使功能，苹果也将重新加入慢差使行列，慢差使市场渐渐成熟期，台积电主动大展拳脚。　　业界回应，使用氮化镓制程生产晶片除可应用于手机慢差使，还可大幅度削减笔电外接电源供应器体积，未来应用于伺服器、车用及智慧电网等市场商机可观。因此，涉及电源管理IC解决方案的国际晶片大厂德仪、恩智浦及英飞凌等早就补巴比涉及电源管理IC方案，发售晶片多以氮化镓制程生产，此次，台积电与戴格乐合作，除了挑战霸主地位，更加展现出台积电在氮化镓制程成熟技术，向涉及电源管理IC厂客户旁观。

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